التفاصيل الفنية

• حالة القطعة Active
• نوع FET P-Channel
• تكنولوجيا MOSFET (Metal Oxide)
• الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss) 30 V
• التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية 700mA (Ta)
• جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل) 4.5V, 10V
• Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs 250mOhm @ 400mA, 10V
• Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id -
• Vgs (الحد الأقصى) ±20V
• السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds 160 pF @ 10 V
• ميزة FET -
• استهلاك الطاقة (الحد الأقصى) 500mW (Ta)
• درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
• الصف -
• التأهيل -
• نوع التثبيت Surface Mount
• المورد الجهاز الحزمة SOT-23
• الحزمة / العلبة TO-236-3, SC-59, SOT-23-3