التفاصيل الفنية

• حالة القطعة Active
• نوع FET N-Channel
• تكنولوجيا MOSFET (Metal Oxide)
• الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss) 60 V
• التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية 300mA (Ta)
• جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل) 4.5V, 10V
• Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id 2.1V @ 250µA
• شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 0.72 nC @ 10 V
• Vgs (الحد الأقصى) ±20V
• السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds 30 pF @ 20 V
• ميزة FET -
• استهلاك الطاقة (الحد الأقصى) 400mW (Ta)
• درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
• الصف -
• التأهيل -
• نوع التثبيت Surface Mount
• المورد الجهاز الحزمة SOT-23
• الحزمة / العلبة TO-236-3, SC-59, SOT-23-3