- Modelo de producto K4B4G1646E-BYK000
- Marca Samsung Semiconductor, Inc.
- RoHS Yes
- Descripción DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
- Clasificación Memoria
Inventario:1500
Detalles técnicos
- Estado de la Pieza Active
- DigiKey Programmable Not Verified
- Tipo de Memoria Volatile
- Formato de Memoria DRAM
- Tamaño de la Memoria 4Gbit
- Organización de la Memoria 256M x 16
- Interfaz de Memoria Parallel
- Frecuencia de Reloj 800 MHz
- Voltaje - Alimentación 1.35V
- Temperatura de Operación 0°C ~ 95°C
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 96-TFBGA
