Detalles técnicos

• Estado de la Pieza Active
• Tipo de FET P-Channel
• Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
• Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20 V
• Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
• Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 2.5V, 4.5V
• Rds On (Máx) @ Id, Vgs 170mOhm @ 1.5A, 4.5V
• Vgs(umbral) (Máx.) @ Id -
• Vgs (Máx.) ±12V
• Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 310 pF @ 10 V
• FET Característica -
• Disipación de Potencia (Máx.) 2W (Ta)
• Temperatura de Operación 150°C (TJ)
• Grado -
• Calificación -
• Tipo de Montaje Surface Mount
• Proveedor Dispositivo Paquete SOT-89
• Paquete / Carcasa TO-243AA