Detalles técnicos

• Estado de la Pieza Active
• Tipo de FET N-Channel
• Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
• Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
• Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
• Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
• Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.1V @ 250µA
• Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 0.72 nC @ 10 V
• Vgs (Máx.) ±20V
• Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 30 pF @ 20 V
• FET Característica -
• Disipación de Potencia (Máx.) 400mW (Ta)
• Temperatura de Operación 150°C (TJ)
• Grado -
• Calificación -
• Tipo de Montaje Surface Mount
• Proveedor Dispositivo Paquete SOT-23
• Paquete / Carcasa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3