- Modèle de produit K4B4G1646E-BYK000
- Marque Samsung Semiconductor, Inc.
- RoHS Yes
- Description DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
- Classification Mémoire
Inventaire:1500
Détails techniques
- Statut de la pièce Active
- DigiKey Programmable Not Verified
- Type de mémoire Volatile
- Format de mémoire DRAM
- Taille de la mémoire 4Gbit
- Organisation de la mémoire 256M x 16
- Interface de mémoire Parallel
- Fréquence d'horloge 800 MHz
- Tension d'alimentation 1.35V
- Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C
- Type de montage Surface Mount
- Boîtier 96-TFBGA