Détails techniques

• Statut de la pièce Active
• Type de FET N-Channel
• Technologie MOSFET (Metal Oxide)
• Tension Drain-Source (Vdss) 60 V
• Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
• Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 4.5V, 10V
• Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
• Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 0.72 nC @ 10 V
• Vgs (Max) ±20V
• Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 20 V
• FET Caractéristique -
• Dissipation de puissance (Max) 400mW (Ta)
• Température de fonctionnement 150°C (TJ)
• Grade -
• Qualification -
• Type de montage Surface Mount
• Fournisseur Dispositif Emballage SOT-23
• Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3