기술적 세부 사항

• 부품 상태 Active
• 디지키 프로그래머블 Not Verified
• 메모리 유형 Volatile
• 메모리 포맷 DRAM
• 메모리 크기 4Gbit
• 메모리 구성 256M x 16
• 메모리 인터페이스 Parallel
• 클럭 주파수 800 MHz
• 전압 - 공급 1.35V
• 작동 온도 0°C ~ 95°C
• 장착 유형 Surface Mount
• 패키지 / 케이스 96-TFBGA