기술적 세부 사항

• 부품 상태 Not For New Designs
• FET 유형 P-Channel
• 기술 MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss) 20 V
• 전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C 700mA (Ta)
• 구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V
• Rds On(최대) @ Id, Vgs 300mOhm @ 400mA, 4.5V
• Vgs(th) (Max) @ Id -
• Vgs (최대) ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 180 pF @ 10 V
• FET 피처 -
• 전력 소산 (최대) 500mW (Ta)
• 작동 온도 150°C (TJ)
• 등급 -
• 자격 인증 -
• 장착 유형 Surface Mount
• 공급업체 장치 패키지 SOT-23
• 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3