- 제품 모델 K6F2016U4E-EF70T
- 브랜드 Samsung Semiconductor, Inc.
- RoHS Yes
- 설명 SRAM ASYNC SLOW 2M 128Kx16 3.3V
- 분류 메모리
재고:3627
기술적 세부 사항
- 부품 상태 Obsolete
- 디지키 프로그래머블 Not Verified
- 메모리 유형 Volatile
- 메모리 포맷 SRAM
- 기술 SRAM - Asynchronous
- 메모리 크기 2Mbit
- 메모리 구성 128K x 16
- 메모리 인터페이스 Parallel
- Write Cycle Time - Word, Page 70ns
- 전압 - 공급 2.7V ~ 3.6V
- 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
- 장착 유형 Surface Mount
- 공급업체 장치 패키지 48-TFBGA (6x7)