- Модель продукта K4B4G1646E-BYK000
- Бренд Samsung Semiconductor, Inc.
- RoHS Yes
- Описание DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
- Классификация Память
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Статус детали Active
- DigiKey Программируемый Not Verified
- Тип памяти Volatile
- Формат памяти DRAM
- Объем памяти 4Gbit
- Организация памяти 256M x 16
- Интерфейс памяти Parallel
- Тактовая частота 800 MHz
- Напряжение питания 1.35V
- Рабочая температура 0°C ~ 95°C
- Тип монтажа Surface Mount
- Корпус 96-TFBGA