Технические детали

• Статус детали Active
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Технология MOSFET (Metal Oxide)
• Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
• Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 700mA (Ta)
• Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
• Rds On (Макс) @ Id, Vgs 250mOhm @ 400mA, 10V
• Vgs(th) (макс.) при Id -
• Vgs (макс.) ±20V
• Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 160 pF @ 10 V
• FET Особенности -
• Рассеиваемая мощность (максимальная) 500mW (Ta)
• Рабочая температура 150°C (TJ)
• Класс -
• Квалификация -
• Тип монтажа Surface Mount
• Поставщик Устройство Корпус SOT-23
• Корпус TO-236-3, SC-59, SOT-23-3