Технические детали

• Статус детали Active
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Технология MOSFET (Metal Oxide)
• Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
• Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 200mA (Tc)
• Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 2.5V, 4.5V
• Rds On (Макс) @ Id, Vgs 5Ohm @ 100mA, 4.5V
• Vgs(th) (макс.) при Id 1.2V @ 250µA
• Vgs (макс.) ±8V
• Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 34 pF @ 10 V
• FET Особенности -
• Рассеиваемая мощность (максимальная) 350mW (Ta)
• Рабочая температура 150°C (TJ)
• Класс -
• Квалификация -
• Тип монтажа Surface Mount
• Поставщик Устройство Корпус SOT-323-3A
• Корпус SC-70, SOT-323