- 产品型号 K4B4G1646E-BYK000
- 品牌 Samsung Semiconductor, Inc.
- RoHS Yes
- 描述 DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
- 分类 记忆
库存:1500
技术细节
- 零件状态 Active
- 得捷可编程 Not Verified
- 内存类型 Volatile
- 内存格式 DRAM
- 内存容量 4Gbit
- 存储器结构 256M x 16
- 内存接口 Parallel
- 时钟频率 800 MHz
- 电压 - 供电 1.35V
- 工作温度 0°C ~ 95°C
- 安装类型 Surface Mount
- 封装 / 外壳 96-TFBGA